N-тип M2 Monocrystalline Skafer Speciation

N-тип M2 Monocrystalline Skafer Speciation

Монокристаллическая кремниевая пластина N-типа N-типа имеет квази-квадратную конструкцию 156,75 × 156,75 мм с округлыми углами, балансируя совместимость со стандартными макетами модуля и оптимизированным захватом света. Производится с использованием метода CZ и легирования фосфора, он предлагает высокую чистоту материала,<100>Ориентация и низкая плотность дислокации (меньше или равны 500 см²). При проводимости N-типа широкий диапазон удельного сопротивления (0,2–12 Ом · см) и время жизни с высоким содержанием носителей меньшинства (больше или равно 1000 мкс), он поддерживает высокоэффективные клеточные технологии, такие как Topcon и HJT. Пластина M2 остается проверенным и надежным форматом для стабильной производительности в основных приложениях PV.
Share to
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание
Технические параметры

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

Монокристаллическая кремниевая пластина N-типа N-типа имеет квази-квадратную конструкцию 156,75 × 156,75 мм с округлыми углами, балансируя совместимость со стандартными макетами модуля и оптимизированным захватом света. Производится с использованием метода CZ и легирования фосфора, он предлагает высокую чистоту материала,<100>Ориентация и низкая плотность дислокации (меньше или равны 500 см²). При проводимости N-типа широкий диапазон удельного сопротивления (0,2–12 Ом · см) и время жизни с высоким содержанием носителей меньшинства (больше или равно 1000 мкс), он поддерживает высокоэффективные клеточные технологии, такие как Topcon и HJT. Пластина M2 остается проверенным и надежным форматом для стабильной производительности в основных приложениях PV.

 

1. Свойства материала

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Метод роста

Сумка

 

Кристалличность

Монокристаллический

ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ ТЕХНИКА(ASTM F47-88)

Тип проводимости

N-тип

Назсон EC-80TPN

Добанта

Фосфор

-

Концентрация кислорода [oi]

Меньше или равен8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Концентрация углерода [CS]

Меньше или равен5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Плотность ямы травления (плотность дислокации)

Меньше или равен500 см-2

ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ ТЕХНИКА(ASTM F47-88)

Поверхностная ориентация

<100>± 3 градуса

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Ориентация псевдо -квадратных сторон

<010>,<001>± 3 градуса

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

 

2. Электрические свойства

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Удельное сопротивление

0,2-2,0 Ом.cm
0,5-3,5 Ом.cm
1,0-7,0 ω.cm
1,5-12 ω.cm
Удельное сопротивление с 4 зонами
измерение

MCLT (Mitherity Carrier Lifetime)

Больше или равен 1000 мкс (удельное сопротивление > 1,0 Ом. CM)
Больше или равен 500 мкс (удельное сопротивление < 1,0 Ом.
Синтон BCT-400
Переход
(с уровнем инъекции: 5E14 см-3)

 

3. Геометрия

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Геометрия

квази квадрат
Вернье суппорт
Диаметр
210 ± 0,25 мм
Вернье суппорт
Плоский до квартиры
156,75 ± 0,25 мм
Вернье суппорт
Угловой длина
8,5 ± 0,5 мм
Широкий квадрат/правитель
Угловатость

90 градусов ± 0,2 градуса

Угловой правитель
Угловая форма
Круглая форма
Визуальный осмотр
Перпендикулярность
Меньше или равен 0,8 мм
 

TTV (общее изменение толщины)

Меньше или равен 27 µm

Система проверки пластины

 

image 31

 

4.Поверхностные свойства

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Поверхностная качество
Пятно, масло, царапина, трещина, яма, удары,
Дефект обмоток и двойной дефект
допустимый
Визуальный осмотр
Чип
Поверхностный чип не допускается;
Arris: Чипсы не подряд:
Менее 10 на Аррисе, Диа меньше или равен 0,3 мм;
Правитель
Поверхность грубая
Плоская поверхность: RA меньше или равна 0,6 мм;
Расширенная поверхность: RA меньше или равна 1,0 мкю
Измеритель шероховатости поверхности

 

 

 

 

горячая этикетка : N-тип M2 Monocrystalline Speciation Speciation, Китай, поставщики, производители, завод, сделанные в Китае

Отправить запрос
Отправить запрос