Кремниевая пластина

Подложки SiC типа P-предназначены для гомоэпитаксиального выращивания и разработки силовых полупроводниковых приборов сверх-высокого-напряжения. Обладая превосходными электрическими и тепловыми

Полу-изолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и отличными тепловыми свойствами, что делает их пригодными для гетероэпитаксиального выращивания GaN и высокочастотных-частотных

Подложки SiC типа N- разработаны для гомоэпитаксиального выращивания в современном производстве силовых полупроводников. Обладая превосходными электрическими и тепловыми характеристиками, эта