4H Полу-Изолирующая пластина SiC

Полу-изолирующие подложки SiC обладают высоким удельным сопротивлением и отличными тепловыми свойствами, что делает их пригодными для гетероэпитаксиального выращивания GaN и высокочастотных-частотных полупроводниковых приложений. Благодаря высокой-производительностиПодложка SiC, он широко используется для устройств на базе HEMT-в современных системах связи, включая инфраструктуру 5G.

Эти полу-изолирующиеSiC пластинытакже обеспечивают превосходные оптические свойства и свойства материала, поддерживая новые приложения в оптоэлектронике и носимой электронике.. 12-Дюймовые подложки SiC открывают потенциал для приложений следующего-поколения, таких как очки AR и другие современные оптические устройства.

 

6-дюймовый
Диаметр	150,0 мм+0 мм/-0,2 мм
Ориентация поверхности	{0001}±0,2 градуса
Первичная плоская ориентация	/
Вторичная плоская ориентация	/
Основная плоская длина	Нотч
Вторичная плоская длина	Никто
Ориентация выреза	<1100>±1,0 градуса
Глубина выреза	Нет1мм+0.25мм/-0мм от края
Угол выреза	90 градусов +5 градусов /-1 градус
Толщина	500,0 мкм±25,0 мкм
Тип	Полу-изоляционный

 

 

 

8-дюймовый
Диаметр	200,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Ориентация поверхности	{0001}±0,2 градуса
Первичная плоская ориентация	/
Вторичная плоская ориентация	/
Основная плоская длина	Нотч
Вторичная плоская длина	Никто
Ориентация выреза	<1100>±1,0 градуса
Глубина выреза	Нет1мм+0.25мм/-0мм от края
Угол выреза	90 градусов +5 градусов /-1 градус
Толщина	500,0 мкм±25,0 мкм
Тип	Полу-изоляционный

 

 

12-дюймовый
Диаметр	300,0 мм+0 мм/-0,5 мм
Ориентация поверхности	{0001}±0,5 градуса
Первичная плоская ориентация	/
Вторичная плоская ориентация	/
Основная плоская длина	Нотч
Вторичная плоская длина	Никто
Ориентация выреза	<1100>±5,0 градусов
Глубина выреза	Нет1мм+0.25мм/-0мм от края
Угол выреза	90 градусов +5 градусов /-1 градус
Толщина	750,0 мкм±25,0 мкм
Тип	Полу-изоляционный