P Тип 161,7 мм Монокристаллическая солнечная пластина

Метод роста

ЧР

Кристалличности

Монокристаллический

Предпочтительные методы травливания（АСТМ Ф47-88）

Тип проводимости

дырочный

Напсон EC-80TPN

П/Н

Допант

Бор, галлий

-

Концентрация кислорода[Oi]

≦8E+17 ат/см³

ФТИР (ASTM F121-83)

Концентрация углерода [Cs]

≦5E+16 ат/см³

ФТИР (ASTM F123-91)

Плотность травилочные ямы (плотность дислокации)

≦500 см^-3

Предпочтительные методы травливания（АСТМ Ф47-88）

Ориентация поверхности

<100>±3°

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Ориентация псевдоквагоров

<010>,<001>±3°

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

удельное сопротивление

0,5-1,5 Ом см

Система контроля пластин

MCLT (срок службы миноритарного перевозчика)

≧50 мкс

Синтон BCT-400

(с уровнем впрыска: 1E15 см^-3)

геометрия

Квазиквадро

Длина стороны пластины

161.7±0.25 мм

система контроля пластин

Диаметр пластины

φ221±0.25 мм

система контроля пластин

Угол между соседними сторонами

90° ± 0.2°

система контроля пластин

толщина

180﹢20/﹣10 мкм;

170﹢20/﹣10 мкм

TTV (Изменение общей толщины)

≤27 мкм

система контроля пластин

Метод резки

Д.У.

--

Качество поверхности

в виде разрезания и очистки, без видимых загрязнений (масло или жир, отпечатки пальцев, мыльные пятна, пятна навозной жижи, пятна эпоксидной смолы / клея не допускаются)

система контроля пластин

Следы пилы / ступени

≤ 15 мкм

система контроля пластин

лук

≤ 40 мкм

система контроля пластин

основа

≤ 40 мкм

система контроля пластин

чип

глубина ≤0,3 мм и длина ≤ 0,5 мм Макс 2 / шт;   без V-чипа

Невооруженным глазом или система контроля пластин

Микро трещины / отверстия

Не допускается

система контроля пластин