Тот факт, что технологии ячеек с высочайшей эффективностью в промышленном производстве основаны на пластине Cz-Si N-типа, является яркой демонстрацией того, почему пластины n-типа являются наиболее подходящим материалом для высокоэффективных солнечных элементов. Если говорить более подробно, то есть несколько физических причин превосходства типа N над типом P, наиболее важными из которых являются:
из-за отсутствия бора в пластинах Si p-типа не происходит световой деградации (LID) из-за бор-кислородных комплексов.
поскольку Si N-типа менее чувствителен к заметным металлическим примесям, в целом диффузионные длины неосновных носителей в Cz-Si n-типа значительно выше по сравнению с Cz-Si p-типа.
Si типа N менее подвержен деградации во время высокотемпературных процессов, таких как B-диффузия.
1 Свойства материала
Имущество | Технические характеристики | Метод проверки |
Метод выращивания | CZ | |
Кристалличность | Монокристаллический | Предпочтительные техники травления（ASTM F47-88） |
Тип проводимости | N-тип | Напсон ЕС-80ТПН |
Допант | Фосфор | - |
Концентрация кислорода [Oi] | ≦8E+17 ат / см3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Концентрация углерода [Cs] | ≦5E+16 ат / см3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Плотность ямок травления (плотность дислокаций) | ≦500 см-3 | Предпочтительные техники травления（ASTM F47-88） |
Ориентация поверхности | & lt; 100> ± 3 ° | Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987) |
Ориентация сторон псевдоквадрата | & lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 ° | Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987) |
2 Электрические свойства
Имущество | Технические характеристики | Метод проверки |
Удельное сопротивление | 0,2-2,0 Ом · см 0,5-3,5 Ом · см 1,0-7,0 Ом · см 1,5-12 Ом · см Другое удельное сопротивление | Система контроля пластин |
MCLT (время жизни неосновных носителей) | ≧1000 μs (удельное сопротивление> 1Ωсм) | Синтон переходный |
3 Геометрия
Имущество | Технические характеристики | Метод проверки |
Геометрия | Псевдоквадрат | |
Форма скошенной кромки | Круглый | |
Размер вафли (Длина стороны * длина стороны * диаметр | M0: 156*156*ϕ210 мм M1: 156.75*156.75* ϕ205 мм M2: 156.75*156.75* ϕ210 мм | Система контроля пластин |
Угол между соседними сторонами | 90±3° | Система контроля пластин |
горячая этикетка : Монокристаллическая солнечная пластина типа N 156,75 мм, Китай, поставщики, производители, завод, сделано в Китае
