Монокристаллическая солнечная пластина типа N 158,75 мм

Монокристаллическая солнечная пластина типа N 158,75 мм

Для моно-кремниевых пластин квадрат 158,75 мм станет наиболее распространенным дизайном ко второй половине года. Лишь немногие производители используют пластины большего размера. LG и Hanwha Q Cells, например, используют пластины M4 (161,7 мм), в то время как Longi продвигает пластины 166 мм. Ультрасовременные моно вафли Full Square Mono максимально увеличили световое воздействие на тот же уровень многопластинчатых пластин за счет расширения квадрата. мера. Пластины всегда полностью квадратные, поэтому они оптимально подходят для фотоэлектрического модуля.
Share to
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание
Технические параметры

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


Для моно-кремниевых пластин квадрат 158,75 мм станет наиболее распространенным дизайном ко второй половине года. Лишь немногие производители используют пластины большего размера. LG и Hanwha Q Cells, например, используют пластины M4 (161,7 мм), а Longi продвигает пластины 166 мм.

Ультрасовременные моно вафли Full Square Mono максимально увеличили световое воздействие на том же уровне многопластинчатых пластин за счет увеличения площади квадрата. Пластины всегда полностью квадратные, поэтому они оптимально подходят для фотоэлектрического модуля.

1 Свойства материала

Имущество

Технические характеристики

Метод проверки

Метод выращивания

CZ


Кристалличность

Монокристаллический

Предпочтительные техники травленияASTM F47-88

Тип проводимости

N-тип

Напсон ЕС-80ТПН

Допант

Фосфор

-

Концентрация кислорода [Oi]

8E+17 ат / см3

FTIR (ASTM F121-83)

Концентрация углерода [Cs]

5E+16 ат / см3

FTIR (ASTM F123-91)

Плотность ямок травления (плотность дислокаций)

500 см-3

Предпочтительные техники травленияASTM F47-88

Ориентация поверхности

& lt; 100> ± 3 °

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Ориентация сторон псевдоквадрата

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

2 Электрические свойства

Имущество

Технические характеристики

Метод проверки

Удельное сопротивление

0,3-2,1 Ом · см

1,0-7,0 Ом · см

Система контроля пластин

MCLT (время жизни неосновных носителей)

≧ 1000 мкс (удельное сопротивление 0,3-2,1 Ом · см)
≧500 μs(Удельное сопротивление1,0-7,0 Ом · см)

Синтон переходный

3 Геометрия


Имущество

Технические характеристики

Метод проверки

Геометрия

Полный квадрат


Длина стороны вафли

158,75 ± 0,25 мм

система контроля пластин

Диаметр вафли

φ223 ± 0,25 мм

система контроля пластин

Угол между соседними сторонами

90° ± 0.2°

система контроля пластин

Толщина

180 20/10 µm;

17020/10 µm

система контроля пластин

TTV (изменение общей толщины)

27 µm

система контроля пластин



image



4 Свойства поверхности


Имущество

Технические характеристики

Метод проверки

Метод резки

DW

--

Качество поверхности

в чистом виде, без видимых загрязнений (масло или жир, отпечатки пальцев, мыльные пятна, пятна от суспензии, пятна эпоксидной смолы / клея не допускаются)

система контроля пластин

Следы / ступеньки пилы

≤ 15µm

система контроля пластин

Поклон

≤ 40 µm

система контроля пластин

Деформация

≤ 40 µm

система контроля пластин

Чип

глубина ≤0,3 мм и длина ≤ 0,5 мм Макс. 2 шт. / шт .; нет V-образного чипа

Невооруженные глаза или система проверки пластин

Микротрещины / отверстия

Не допускается

система контроля пластин




горячая этикетка : Монокристаллическая солнечная пластина n типа 158,75 мм, Китай, поставщики, производители, фабрика, сделано в Китае

Отправить запрос
Отправить запрос