N-типа G1 монокристаллическая кремниевая спецификация

N-типа G1 монокристаллическая кремниевая спецификация

Монокристаллическая кремниевая пластина N-типа G1 имеет полную квадратную 158,75 × 158,75 мм конструкцию, максимизируя экспозицию света и эффективность модуля. Изготовлен с использованием метода CZ с легированием фосфора, он предлагает превосходное качество материала, низкую плотность дислокации (меньше или равна 500 см²) и<100>кристаллическая ориентация. При проводимости N-типа диапазон удельного сопротивления 0,5–7 Ом · см и срок службы носителя до большего или равенного 1000 мкс, он хорошо подходит для высокоэффективных клеточных технологий, таких как TopCon и HJT. Его полная квадратная форма и плотные геометрические допуски обеспечивают оптимальную интеграцию и производительность модуля.
Share to
Отправить запрос
Теперь говорите
Описание
Технические параметры

CZ silicon crystal growth

 

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

 

Монокристаллическая кремниевая пластина N-типа G1 имеет полную квадратную 158,75 × 158,75 мм конструкцию, максимизируя экспозицию света и эффективность модуля. Изготовлен с использованием метода CZ с легированием фосфора, он предлагает превосходное качество материала, низкую плотность дислокации (меньше или равна 500 см²) и<100>кристаллическая ориентация. При проводимости N-типа диапазон удельного сопротивления 0,5–7 Ом · см и срок службы носителя до большего или равенного 1000 мкс, он хорошо подходит для высокоэффективных клеточных технологий, таких как TopCon и HJT. Его полная квадратная форма и плотные геометрические допуски обеспечивают оптимальную интеграцию и производительность модуля.

 

 

1. Свойства материала

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Метод роста

Сумка

 

Кристалличность

Монокристаллический

ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ ТЕХНИКА(ASTM F47-88)

Тип проводимости

N-тип

Назсон EC-80TPN

Добанта

Фосфор

-

Концентрация кислорода [oi]

Меньше или равен8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Концентрация углерода [CS]

Меньше или равен5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Плотность ямы травления (плотность дислокации)

Меньше или равен500 см-2

ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ ТЕХНИКА(ASTM F47-88)

Поверхностная ориентация

<100>± 3 градуса

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Ориентация псевдо -квадратных сторон

<010>,<001>± 3 градуса

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

 

2. Электрические свойства

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Удельное сопротивление

1,0-7,0 ω.cm

Система проверки пластины

MCLT (Mitherity Carrier Lifetime)

Больше или равен 1000 мкс (удельное сопротивление > 1,0ohm.cm)
Больше или равен 500 мкс (удельное сопротивление < 1,0ohm.cm)
Синтон BCT-400
QSSPC/Transiet
(с уровнем инъекции: 1E15 см -3)

 

3. Геометрия

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Геометрия

Псевдо -квадрат

 
Форма края скоса
круглый  

Длина боковой платы

182 ± 0,25 мм

Система проверки пластины

Диаметр пластины

φ247 ± 0,25 мм

Система проверки пластины

Угол между соседними сторонами

90 градусов ± 0,2 градуса

Система проверки пластины

Толщина

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
Система проверки пластины

TTV (общее изменение толщины)

Меньше или равен 27 µm

Система проверки пластины

 

image 29

 

4.Поверхностные свойства

 

Свойство

Спецификация

Метод проверки

Метод резки

DW

--

Качество поверхности

Поскольку и очищено, без видимого загрязнения (масло или жира, отпечатки пальцев, мыльные пятна, пятна от суспензии, пятна эпоксидной смолы/клея не допускаются)

Система проверки пластины

Видели следы / шаги

Меньше или равен 15 мкм

Система проверки пластины

Поклон

Меньше или равен 40 мкм

Система проверки пластины

Деформация

Меньше или равен 40 мкм

Система проверки пластины

Чип

глубина меньше или равна 0,3 мм и длиной меньше или равна 0,5 мм макс 2/ПК; Нет V-Chip

Обнаженные глаза или система проверки пластин

Микро трещины / отверстия

Не разрешен

Система проверки пластины

 

 

 

 

горячая этикетка : N-тип G1 монокристаллическая кремниевая спецификация, Китай, поставщики, производители, фабрика, сделанные в Китае

Отправить запрос
Отправить запрос