Монокристаллическая солнечная пластина типа P M4

Метод выращивания

CZ

Кристалличность

Монокристаллический

Предпочтительные техники травления（ASTM F47-88）

Тип проводимости

P-тип

Напсон ЕС-80ТПН

P/N

Допант

Бор, Галлий

-

Концентрация кислорода [Oi]

≦8E+17 ат / см³

FTIR (ASTM F121-83)

Концентрация углерода [Cs]

≦5E+16 ат / см³

FTIR (ASTM F123-91)

Плотность ямок травления (плотность дислокаций)

≦500 см^-3

Предпочтительные техники травления（ASTM F47-88）

Ориентация поверхности

& lt; 100> ± 3 °

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Ориентация сторон псевдоквадрата

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Метод дифракции рентгеновских лучей (ASTM F26-1987)

Удельное сопротивление

0,5-1,5 Ом · см

Система контроля пластин

MCLT (время жизни неосновных носителей)

≧50 μs

Синтон BCT-400

(с уровнем впрыска: 1E15 см^-3)

Геометрия

Квазиквадрат

Длина стороны вафли

161,7 ± 0,25 мм

система контроля пластин

Диаметр вафли

φ221 ± 0,25 мм

система контроля пластин

Угол между соседними сторонами

90° ± 0.2°

система контроля пластин

Толщина

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (изменение общей толщины)

≤27 µm

система контроля пластин

Метод резки

DW

--

Качество поверхности

в чистом виде, без видимых загрязнений (масло или жир, отпечатки пальцев, мыльные пятна, пятна от суспензии, пятна эпоксидной смолы / клея не допускаются)

система контроля пластин

Следы / ступеньки пилы

≤ 15µm

система контроля пластин

Поклон

≤ 40 µm

система контроля пластин

Деформация

≤ 40 µm

система контроля пластин

Чип

глубина ≤0,3 мм и длина ≤ 0,5 мм Макс. 2 шт. / шт .; нет V-образного чипа

Невооруженные глаза или система проверки пластин

Микротрещины / отверстия

Не допускается

система контроля пластин