Источник: Fraunhofer ISE
1 кремниевый солнечный элемент с Al-BSF
Алюминиевая задняя поверхность поля (Al-BSF) за счет легирования заднего контакта в основание, что приводит к структуре n + pp +, позволяющей уменьшить рекомбинацию на задней стороне.
2 Кремниевый солнечный элемент с PERC
Замена полностью контактировавшего элемента из Al-BSF структурой элемента с пассивированным излучателем и задним элементом (PERC) с локальными задними контактами улучшает электрические и оптические свойства.
3 Кремниевые солнечные батареи, представленные в TOPCon
Пассивирующий контакт из туннельного оксида (TOPCon) заключается в добавлении тонкого туннельного диоксида кремния (около 1,5 нм) и легированного слоя поликремния между кремниевой подложкой и задним металлическим контактом. В случае подложки n-типа в качестве структуры заднего контакта используется легированный фосфором поликремний.
4 Кремниевый солнечный элемент с SHJ
В солнечных элементах с кремниевым гетеропереходом (SHJ) используются пассивирующие контакты на основе набора слоев из собственного и легированного аморфного кремния.
5. Кремниевый солнечный элемент с IBC
Солнечный элемент с встречно-штыревым контактом (IBC) с легированием и контактами обеих полярностей на одной стороне требует встречно-штыревого (или полосатого) легирования на задней поверхности и имеет контакты только на задней стороне.
