Легирование галлием - это метод предотвращения световой деградации (LID), особенно в элементах PERC. Использование кремниевых пластин, легированных галлием, для применения в солнечных элементах, безусловно, приводит к повышению производительности солнечных элементов и фотоэлектрических модулей, а также к увеличению их долговечности. срок надежности.
Принципиальная схема солнечного элемента PERC
Согласно заявлению для прессы, Shin-Etsu Chemical владеет несколькими патентами на легирование галлием кристаллов кремния и на использование пластин кристаллического кремния p-типа, легированного галлием, в производстве фотоэлектрических элементов.
Широко известно, что солнечные элементы, в которых используются кремниевые пластины p-типа, легированные бором, страдают от световой деградации (LID). Это происходит в самые первые часы, когда кристаллические кремниевые солнечные элементы p-типа, легированные бором, подвергаются воздействию солнца, что приводит к потере производительности и общему снижению эффективности преобразования.
Этот LID связан с образованием бор-кислородного комплекса, который действует как вредный дефект и уменьшает длину диффузии неосновных носителей заряда. Несмотря на то, что на сегодняшний день было проведено множество исследований по определению характеристик и уменьшению LID, промышленные солнечные элементы все еще страдают от различных типов потерь эффективности, вызванных светом.
Использование легирования галлием для предотвращения LID
Однако существует промышленная альтернатива кремнию, легированному бором, - кремний, легированный галлием. Считается, что он невосприимчив к LID, особенно когда он используется в клетках PERC.
В октябре 2019 года китайская компания JA Solar получила права интеллектуальной собственности на свою собственную технологию легирования галлием, которая используется в производстве фотоэлектрических элементов. JA Solar объяснила, что ее запатентованная технология может эффективно снизить влияние LID на фотоэлектрические модули, которые собраны с кремниевыми пластинами p-типа.
GG: «Использование кремниевых пластин, легированных галлием, для применения в солнечных элементах, безусловно, приводит к повышению производительности солнечных элементов и фотоэлектрических модулей, а также к повышению их долговременной надежности», - сказал председатель и совет директоров Цзинь Баофан.
Компания также имеет несколько патентов на легирование галлием кристаллов кремния и на использование легированных галлием пластин кристаллического кремния p-типа в производстве фотоэлементов.
Кремниевая солнечная пластина, легированная Ga
Кремниевая пластина для солнечных батарей, легированная Ga 210 мм M12 G12
Кремниевая пластина для солнечных батарей, легированная Ga, 166 мм, M6
Кремниевая солнечная пластина, легированная Ga, 161,7 мм M4
Кремниевая пластина для солнечных батарей, легированная Ga, 158,75 мм, G1, полная площадь
Кремниевая солнечная пластина, легированная Ga 156,75 мм M2
