【Внедрение продукции】 | |
Клетка | Моно 156,75 мм HJT двусторонний |
Кол-во ячеек | 60（6×10） |
Номинальная максимальная мощность (Pmax) | 320W |
Распределительная коробка | IP68 |
Максимальное напряжение системы | 1000 В / 1500 В постоянного тока (IEC) |
Рабочая Температура | -40℃～+85℃ |
Габаритные размеры | 1658 мм × 992 мм × 5 мм |
Масса | 20 кг ± 3% |
【Описание продукта】
В новом двустороннем модуле HJT используются солнечные элементы с эффективностью преобразования около 23%, отличными характеристиками при слабом освещении, ведущим температурным коэффициентом мощности -0,33% / ℃ и сверхнизким ухудшением характеристик кремниевых подложек N-типа. Модуль также выигрывает от повышения эффективности от 8% до 20% из-за двусторонности, в зависимости от поверхности альбедо, отражающей свет к ячейке на задней стороне.
Двухсторонняя солнечная панель BIPV HJT обеспечивает высокую мощность 320 Вт.
Благодаря характеристикам материала и конструкции, модуль с двойным стеклом принципиально избегает дефектов, таких как ФИД, микротрещины ячеек и след улитки, что может снизить инвестиционные затраты, транспортные расходы и риски эксплуатации электростанций и т. Д.
1 ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
2 МЕХАНИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
3 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ на НТЦ
Номинальная максимальная мощность (Pmax) [Вт] | 305 | 310 | 315 | 320 |
Напряжение холостого хода (Voc) [В] | 39.85 | 40.15 | 40.46 | 40.86 |
Максимальное напряжение питания (Вмп) [В] | 33.23 | 33.59 | 33.92 | 34.25 |
Ток короткого замыкания (Isc) [A] | 9.73 | 9.77 | 9.84 | 9.89 |
Максимальный ток мощности (имп.) [A] | 9.18 | 9.23 | 9.29 | 9.35 |
Эффективность модуля [%] | 18.5 | 18.8 | 19.2 | 19.5 |
Допуск мощности | 0~+5W | |||
Температурный коэффициент Isc (α_Isc) | 0.048%/℃ | |||
Температурный коэффициент Voc (β_Voc) | -0.271%/℃ | |||
Температурный коэффициент Pmax (γ_Pmp) | -0.336%/℃ | |||
STC | Энергия излучения 1000 Вт / м², температура ячейки 25 ℃, AM1,5G | |||
Солнечная фотоэлектрическая система, также известная как фотоэлектрическая, относится к фотоэлектрическому эффекту фотоэлектрических полупроводниковых материалов и солнечной энергии в установках постоянного тока. В основе фотоэлектрической установки лежат солнечные батареи. В настоящее время основными полупроводниковыми материалами, используемыми для производства электроэнергии, являются монокристаллический кремний, поликристаллический кремний, аморфный кремний, теллурид кадмия и т. Д.
горячая этикетка : панель с двойным стеклом hjt solar pv, китай, поставщики, производители, фабрика, сделано в китае
